徐火希，男，教授，硕士生导师，华中科技大学微电子学与固体电子学专业工学博士，主要从事纳米MOS器件工艺与IC设计方面的研究，近年研究兴趣在窄带二维材料与器件、量子材料及其应用、基础教育中的物理教学研究。先后参与国家自然科学基金项目“小尺寸超薄HfTiO/GeON叠层高k栅介质Ge基MOSFET研究”（ 编号：60776016）、“小尺寸低压高速常保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究”（ 编号：60976091）及参香港政府RGC项目“High- Quality Gate Dielectrics for Germanium MISFET's”（ 编号：HKU 713308E）的研究工作，主持湖北省自然科学基金项目1项、湖北省教育厅产学研结合项目1项、黄冈师范学院博士基金及科研团队项目各1项，在国内外著名学术刊物上发表论文二十余篇。

     代表性学术论文

[1] Xu H X, Xu J P, Li C X, Lai P T. Improved electrical properties of Ge metal-oxide- semiconductor capacitors with high-k HfO₂ gate dielectric by using La₂O₃ interlayer sputtered with/without N₂ ambient, Appl. Phys. Lett., 97:022903. 

[2] Xu H X, Xu J P, Li C X, Chan C L, Lai P T. Impacts of Ti on electrical properties of Ge metal–oxide–semiconductor capacitors with ultrathin high-k LaTiON gate dielectric, Appl. Phys. A, 99:903. 

[3] Xu H X, Xu J P, Li C X, Lai P T. Electrical properties of Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with La₂O₃ gate dielectric annealed in different ambient, Thin Solid Film,518:6962. 

[4] Electrical properties of LaTiO high-k gate dielectric Ge MOS capacitor and Ti content optimization, Acta Phys. Sin.,65(3):037301.

[5] 徐火希, 姜柯, 方浩. 结合邻域权值和色彩信息的彩色立体匹配算法, 光电子·激光, 26(10):203.